砷化镓是一种化合物半导体材料，分子式GaAs。 立方晶系闪锌矿结构，即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格，其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV，是直接带隙半导体，熔点1238℃，质量密度5.307g/cm3，电容率13.18。 砷化镓单晶的导带为双能谷结构，其最低能谷位于靠前布里渊区中心，电子有效质量是0.068m0(m0为电子质量，见载流子)...

发布时间：2025-10-31 浏览量：1